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NDF08N50Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
V GS v 30 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 m s
10 ms
1
0.1
dc
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1 10 100
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area NDF08N50Z
10
50% (DUTY CYCLE)
1
0.1
20%
10%
5.0%
2.0%
0.01
1.0%
SINGLE PULSE
R q JC = 3.6 ° C/W
Steady State
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Impedance (Junction ? to ? Case) for NDF08N50Z
LEADS
HEATSINK
0.110 ″ MIN
Figure 14. Isolation Test Diagram
Measurement made between leads and heatsink with all leads shorted together.
*For additional mounting information, please download the ON Semiconductor
Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
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